355nm APD

Modelo: GD5210Y-0-1-TO5/ GD5210Y-0-2-TO5

Mubo nga paghulagway:

Kini mao ang Si avalanche photodiode nga adunay dako nga photosensitive nga nawong ug gipaayo nga UV.Naghatag kini og taas nga pagkasensitibo gikan sa UV hangtod sa NIR.

kuha ug quote Pag-download

Teknikal nga Parameter

Mga Tag sa Produkto

Mga bahin

Gidan-ag sa atubangan nga patag nga chip
Taas nga tulin nga tubag
Taas nga ganansya sa APD

Mga aplikasyon

Medikal
Biology

Parameter sa photoelectric（@Ta=22±3℃）

butang #	Kategorya sa pakete	Diametro sa photosensitive nga nawong (mm)	Spectral response range(nm)	Responsibilidad λ=355nm φ_e=1μW M=100 (A/W)		Ngitngit nga sulog M=100 (nA)		Temperatura Coefficient Ta=-40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	Kinatibuk-ang kapasidad M=100 f=1MHz (pF)	Pagkaguba boltahe IR=10μA （V）
				VR=10V	VR=8V	Typ.	Max.			Min.	Max.
GD5210Y-0-1-TO5	SA-5	1.8	300～1100	0.22	6.75	3	10	0.4	20	80	200
GD5210Y-0-2-TO5	SA-5	3.0				15	50		50