1064nm Si PIN photodiode

Modelo: GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

Mubo nga paghulagway:

Kini ang Si PIN photodiode nga naglihok ubos sa reverse bias ug naghatag og taas nga pagkasensitibo gikan sa UV ngadto sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 980nm.Responsibilidad: 0.3A/W sa 1064 nm.

kuha ug quote Pag-download

Teknikal nga Parameter

Mga Tag sa Produkto

Mga bahin

Frontside nalamdagan nga istruktura
Ubos nga ngitngit nga kasamtangan
Taas nga tubag
Taas nga kasaligan

Mga aplikasyon

Optical fiber komunikasyon, sensing ug ranging
Optical detection gikan sa UV ngadto sa NIR
Paspas nga optical-pulse detection
Mga sistema sa pagkontrol sa industriya

Photoelectric parameter(@Ta=25℃)

butang #	Kategorya sa pakete	Diametro sa photosensitive nga nawong (mm)	Spectral nga tubag range (nm)	Peak nga tubag wavelength (nm)	Responsibilidad (A/W) λ=1064nm	Pagtaas sa panahon λ=1064nm V_R=40V R_L=50Ω(ns)	Ngitngit nga sulog V_R=40V (nA)	Junction nga kapasidad V_R=40V f=1MHz (pF)	Pagkaguba sa boltahe （V）
GT102Ф0.2	Coaxial type II,5501,TO-46 Type sa plug	Ф0.2	4～1100	980	0.3	10	0.5	0.5	100
GT102Ф0.5		Ф0.5				10	1.0	0.8
GT102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102Ф2	SA-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102Ф4	SA-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	SA-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	SA-20	Ф10.0				50	20	70