Upat ka quadrant Si PIN

Modelo: GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

Mubo nga paghulagway:

Naglangkob kini sa upat ka parehas nga yunit sa Si PIN photodiode nga naglihok ubos sa reverse ug naghatag taas nga pagkasensitibo gikan sa UV hangtod sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 980nm.Responsibilidad: 0.5 A/W sa 1064 nm.

kuha ug quote Pag-download

Teknikal nga Parameter

Mga Tag sa Produkto

Mga bahin

Ubos nga ngitngit nga kasamtangan
Taas nga tubag
Maayong quadrant consistency
Gamay nga buta nga lugar

Mga aplikasyon

Giya sa laser, pag-target, ug pagsubay
Alang sa eksplorasyon nga aparato
Laser micro-positioning, pag-monitor sa displacement ug tukma nga mga sistema sa pagsukod

Photoelectric parameter(@Ta=25℃)

butang #	Kategorya sa pakete	Diametro sa photosensitive nga nawong (mm)	Spectral nga tubag range (nm)	peak tubag wavelength	Responsibilidad λ=1064nm (kV/W)	Ngitngit nga sulog (nA)	Pagtaas sa panahon λ=1064nm R_L=50Ω(ns)	Kapasidad sa junction f=1MHz (pF)	Pagkaguba sa boltahe （V）
GT111	SA-8	Ф4	400～1100	980	0.3	5(V_R=40V)	15(V_R=40V)	5(V_R=10V)	100
GT112		Ф6				7(V_R=40V)	20(V_R=40V)	7(V_R=10V)
GD3250Y		Ф8				10(V_R=40V)	25(V_R=40V)	10(V_R=10V)
GD3249Y	SA-20	Ф10				15(V_R=40V)	30(V_R=40V)	15(V_R=10V)
GD3244Y	SA-31-7	Ф10			0.4	20(V_R=135V)	20(V_R=135V)	10(V_R=135V)	300
GD3245Y	SA-31-7	Ф16				50(V_R=135V)	30(V_R=135V)	20(V_R=135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40(V_R=135V)	25(V_R=135V)	16(V_R=135V)
GD32414Y	SA-8	Ф5.3	400～1150		0.5	4.8(V_R=140V)	15(V_R=140V)	4.2(V_R=140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400～1150		0.5	≤20(V_R=180V)	20(V_R=180V)	10(V_R=180V)	≥300