PRODUCTS Factory, Suppliers - China PRODUCTS Manufacturers

InGaAs APD Modules

Kini mao ang indium gallium arsenide avalanche photodiode module nga adunay pre-amplification circuit nga makapahimo sa mahuyang nga kasamtangan nga signal nga mapadako ug makabig ngadto sa boltahe nga signal aron makab-ot ang proseso sa pagkakabig sa photon-photoelectric-signal amplification.

PANGUTANA detalye
Upat ka kwadrante nga APD

Naglangkob kini sa upat ka parehas nga yunit sa Si avalanche photodiode nga naghatag taas nga pagkasensitibo gikan sa UV hangtod sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 980nm.Responsibilidad: 40 A/W sa 1064 nm.

PANGUTANA detalye
Upat ka quadrant APD modules

Naglangkob kini sa upat ka parehas nga mga yunit sa Si avalanche photodiode nga adunay pre-amplification circuit nga makapahimo sa huyang nga signal sa karon nga mapadako ug mabag-o sa signal sa boltahe aron makab-ot ang proseso sa pagkakabig sa photon-photoelectric-signal amplification.

PANGUTANA detalye
850nm Si PIN modules

Kini mao ang 850nm Si PIN photodiode module nga adunay pre-amplification circuit nga makapahimo sa huyang nga kasamtangan nga signal nga mapadako ug makabig ngadto sa boltahe nga signal aron makab-ot ang proseso sa pagkakabig sa photon-photoelectric-signal amplification.

PANGUTANA detalye
900nm Si PIN photodiode

Kini ang Si PIN photodiode nga naglihok ubos sa reverse bias ug naghatag og taas nga pagkasensitibo gikan sa UV ngadto sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 930nm.

PANGUTANA detalye
1064nm Si PIN photodiode

Kini ang Si PIN photodiode nga naglihok ubos sa reverse bias ug naghatag og taas nga pagkasensitibo gikan sa UV ngadto sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 980nm.Responsibilidad: 0.3A/W sa 1064 nm.

PANGUTANA detalye
Fiber Si PIN modules

Ang optical signal nakabig ngadto sa kasamtangan nga signal pinaagi sa pag-input sa optical fiber.Ang module sa Si PIN adunay pre-amplification circuit nga makapahimo sa huyang nga kasamtangan nga signal nga mapadako ug mabag-o sa signal sa boltahe aron makab-ot ang proseso sa pagkakabig sa photon-photoelectric-signal amplification.

PANGUTANA detalye
Upat ka quadrant Si PIN

Naglangkob kini sa upat ka parehas nga yunit sa Si PIN photodiode nga naglihok ubos sa reverse ug naghatag taas nga pagkasensitibo gikan sa UV hangtod sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 980nm.Responsibilidad: 0.5 A/W sa 1064 nm.

PANGUTANA detalye
Upat ka-quadrant Si PIN modules

Naglangkob kini sa singled o doble nga upat ka parehas nga yunit sa Si PIN photodiode nga adunay pre-amplification circuit nga makapahimo sa huyang nga signal sa karon nga mapadako ug mabag-o sa signal sa boltahe aron makab-ot ang proseso sa pagkakabig sa photon-photoelectric-signal amplification.

PANGUTANA detalye
Ang UV gipaayo nga Si PIN

Kini ang Si PIN photodiode nga adunay gipaayo nga UV, nga naglihok ubos sa reverse ug naghatag taas nga pagkasensitibo gikan sa UV hangtod sa NIR.Ang kinatas-ang tubag nga wavelength mao ang 800nm.Responsibilidad: 0.15 A/W sa 340 nm.

PANGUTANA detalye
1064nm YAG Laser -15mJ-5

Kini usa ka passively Q-switched Nd: YAG laser nga adunay 1064nm wavelength, ≥15mJ peak power, 1~5hz (adjustable) pulse repetition rate ug ≤8mrad divergence angle.Dugang pa, kini usa ka gamay ug gaan nga laser ug makahimo sa pagkab-ot sa taas nga output sa enerhiya nga mahimo’g sulundon nga gigikanan sa kahayag sa nagsangkad nga distansya alang sa pipila nga mga senaryo nga adunay estrikto nga mga kinahanglanon alang sa gidaghanon ug gibug-aton, sama sa indibidwal nga kombat ug ang UAV magamit sa pipila nga mga senaryo.

PANGUTANA detalye
1064nm YAG Laser-15mJ-20

Kini usa ka passively Q-switched Nd: YAG laser nga adunay 1064nm wavelength, ≥15mJ peak power ug ≤8mrad divergence angle.Dugang pa, kini usa ka gamay ug gaan nga laser nga mahimong sulundon nga gigikanan sa kahayag sa layo nga distansya nga adunay taas nga frequency (20Hz).

PANGUTANA detalye